Курсовой проект - Расчет непосредственного преобразователя частоты - файл n1.doc

1   2   3   4   5   6   7

Компараторы

Компараторы DA13.1, DA13.2, DA13.3, DA13.4 выполнены на одной микросхеме К1401СА1.

Они формируют сигнал разрешения подачи управляющих импульса на тиристор в интервалах, соответствующих превышению пилообразным напряжением задающего напряжения.

Схемы совпадения

Выполнены на логических элементах 2И-НЕ и НЕ. С помощью данного блока с выхода мультивибратора импульсы поступают на вход импульсного усилителя лишь тогда, когда с выхода компаратора подается сигнал разрешения.

Логические элементы DD1.1, DD1.2, DD1.3, DD1.4 выполнены на микросхеме К131ЛА3. Элементы DD2.1, DD2.2, DD2.3, DD2.4 выполнены на микросхеме К131ЛН1.

Импульсный усилитель

Рисунок 12.

Сигнал (пачку импульсов) с логических элементов необходимо усилить для непосредственного использования для управления тиристором, а также выполнить гальваническую развязку системы управления и силовой части. Для этого используется высокочастотный транзисторный однотактный преобразователь, выполненный на транзисторе VT2, трансформаторе TV3, источнике питания +10 В, диодах VD1, VD5 и резисторах R1, R5, R13, R14.

В качестве трансформатора применен импульсный микротрансформатор МИТ4В с коэффициентом трансформации равным 1 и максимальным током до 200 мА.

При открытом состоянии VT1 энергия через разделительный трансформатор передается в нагрузку (на тиристор). Ток разряда трансформатора замыкается через диод VD5.

В данном случае применен транзистор КТ815Б.

Сопротивление R5 находим из условия обеспечения коэффициента насыщения q = 2. Сопротивление обмотки трансформатора равно 0.3 Ом.

.

В качестве диода VD5 выбирается элемент 2А526А-5, рассчитанным на частоту 35 ГГц, максимальный прямой ток 100 мА, максимальное обратное напряжение 40 В.

Практически все напряжение, приложенное к первичной обмотке VT2 трансформируется во вторичную обмотку, для управления тиристором необходимо напряжение 4 В и ток 210 мА. Отсюда

.

В качестве диода VD5 выбирается элемент КА537Б, рассчитанным на частоту 100 ГГц, максимальный прямой ток 500 мА, максимальное обратное напряжение 150 В.

Приложение

Перечень элементов схемы управления

№	Обозначение	Наименование	Количество	Примечание
1	2	3	4	5
1	DA1, DA2, DA3, DA4, DA5, DA8, DA9, DA10, DA11	К140УД1408А	9
2	DA6	КР(Ф)1006ВИ1	1
3	DA7	К1401СА3	1
4	DA13	К1401СА1	1
5	DD1	К131ЛА3	1
6	DD2	К131ЛН1	1
7	VT1, VT2, VT3, VT4, VT5, VT6	КТ815Б	6
8	VD1, VD2, VD3, VD4	КА537Б	4
9	VD5, VD6, VD7, VD8, VD9, VD10	2А526А-5	6
10	TV1	ОСМ-0,063-УХЛЗ	1
11	TV2, TV3, TV4, TV5	МИТ4В	4
12	R1, R2, R3, R4, R9, R11	ТВО-1-10к	6
13	R5, R6, R7, R8	ТВО-0,25-3.3	4
14	R10, R12	ТВО-1-270к	2
15	R13, R15, R17, R19	ТВО-1-33	6
16	R14, R16, R18, R20	ТВО-1-680	6
17	R21	ТВО-1-10кОм	1
18	R22, R23	СПО-0,15	2
19	R24, R25, R26, R28, R31, R32, R33, R35	ТВО-1-10к	8
20	R29, R30	ТВО-1-1к5	2
21	R27, R34	УЛИ-0,125-20к	2
22	R36, R37	ТВО-1-10к	2
23	R38, R39, R40, R42, R43, R44, R45, R46, R48, R49	ТВО-1-10к	10
24	R41, R47	УЛИ-0,125-20к	2
1	2	3	4	5
25	C1	КМ-3-М47	1
26	C2, C3, C4, C5, C6	КМ-3-3П	5
27	C7	КМ-3-М01	1
28	C8, C9, C11, C12	КМ-3-3П	4
29	C10, C13	КМ-3-М47	2

Перечень элементов силовой части ПРеобразователя

№	Обозначение	Наименование	Количество	Примечание
1	QF	COMPACT NS100L STR22SE	1
2	VS1, VS2, VS3, VS4, VS5, VS6, VS7, VS8, VS9, VS10, VS11, VS12	T142-40-15-6	12
3	R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8, R9, R10, R11, R12	ТВО-0,5-10	12
4	С1, С2, С3, С4, С5, С6, С7, С8, С9, С10, С11, С12	КМ-3-М47	12
5	Lл, Lп		2	0,216 Гн

Литература

1. 
   Чебовский О.Г., Моисеев Л.Г., Сахаров Ю.В. Силовые полупроводниковые приборы: Справ. – М.: Энергия, 1975
   
2. 
   Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство. Пер. с нем. – М.: Мир, 1982
   
3. 
   Малинин Р.М. Резисторы. - М.: Энергия, 1969
   
4. 
   Гусев В.Н. Смирнов В.Ф. Электрические конденсаторы постоянной емкости. – М.: Советское радио, 1968
   

1   2   3   4   5   6   7