Лабораторная работа - Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода - файл n1.doc

Лабораторная работа - Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода
скачать (111.5 kb.)
Доступные файлы (1):

n1.doc

112kb.

01.06.2012 13:26

скачать

---

Смотрите также:
• Лабораторная работа - Исследование модуляторов (Лабораторная работа)
• Алексеев В.С., Грачев С.В. и др. Исследование характеристик антенных устройств (Документ)
• Лабораторная работа - Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде (Лабораторная работа)
• Лабораторная работа - Исследование грозозащиты подстанций (Лабораторная работа)
• Лабораторная работа - Расчет характеристики направленности линейной сплошной гидроакустической антены в С++ (Лабораторная работа)
• Лабораторная работа - Исследование по ценообразованию (Лабораторная работа)
• Лебеденко Ю.А. Лекции - Электроника и микросхемотехника (Документ)
• Лабораторные работы (Лабораторная работа)
• Лабораторные работы №2-4 (Документ)
• Фалькевич Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния (Документ)
• Журнал лабораторных работ по дисциплине «Технические средства автоматизации в СУТП».(Ишимбай) (Документ)
• Лабораторная работа - Исследование временных и спектральных характеристик сигналов с угловой модуляцией. Формат PDF MDL (Лабораторная работа)

n1.doc

Факультет дистанционного обучения

Томский государственный университет

систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра (ххххххххххххх)
Отчет

Лабораторная работа №1

“Исследование вольтамперной характеристики

полупроводникового диода ”

по дисциплине

“Электроника и микроэлектроника”

ИН хххххххххххх ( указать номер полученный при защите работы)


Выполнил:

студент ФДО ТУСУР

гр.: хххххххххх

специальности ххххх
Ф.И.О

дата.


г. ххххххххх

2011

1. 
   Цель работы
   

Изучить закономерности протекания тока в p – n переходе. Исследовать вольтамперную характеристику диода и стабилитрона. По экспериментальным зависимостям сделать количественную оценку параметров токовых характеристик p – n переходов.

2. Задание на работу

1. 
   Исследовать вольтамперную характеристику полупроводникового диода Д237А и стабилитрона Д811 при прямом и при обратном включении. Для диода Д237 А в прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 1 В, в обратном от 0 до 80 В. Для стабилитрона Д811 прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 0,6 В, в обратном от 0 до 12 В. Запрещается превышать паспортные данные для диода и стабилитрона (см. Макет – Описание лабораторного макет – Паспортные данные приборов).
   
2. 
   По начальному участку обратной ветви ВАХ диода Д237 А определить ток насыщения.
   
3. 
   По обратной ветви ВАХ стабилитрона Д811 определить напряжение стабилизации(пробоя).
   
4. 
   Рассчитать концентрацию носителей в базе диода по формуле(1,2(см. Теория – теоретическая часть) в зависимости от типа p-n перехода), исходя из определенного напряжения пробоя(стабилизации) для стабилитрона.
   
5. 
   Оформить отчет по лабораторной работе.
   

3. 
   Схема экспериментальной установки
   

4. 
   Экспериментальные данные и их анализ
   

Результаты измерений приведены в таблице (4.1):

таб.4.1

Диод Д237 А				Стабилитрон Д811
Прямое направление		Обратное направление		Прямое направление		Обратное направление
U,B	I,мА	U,B	I,мkА	U,B	I, мА	U,B	I,мА
0	0	0	0	0.3	0	0	0
0.1	18	-2.95	-11	0.34	0.0002	-7.5	0
0.2	38	-5.77	-17	0.38	0.0017	-7.97	-0.0002
0.3	59	-7.81	-20	0.40	0.0046	-8.51	-0.0008
0.4	84	-16.16	-27	0.42	0.0125	-9	-0.0034
0.5	110	-23.22	-30	0.44	0.0335	-9.2	-0.0061
0.6	140	-30.79	-32	0.48	0.25	-9.42	-0.012
0.7	175	-36.14	-33	0.50	0.68	-9.8	-0.037
0.8	215	-43.2	-34	0.52	1.5	-9.96	-0.06
0.9	245	-52.95	-35	0.53	3	-10.24	-0.14
1	295	-67.3	-36	0.54	5	-10.42	-0.24
		-80	-36.5	0.55	8.2	-10.8	-0.74
				0.56	13.5	-11	-1.4
				0.57	22.5	-11.51	-6.2
				0.58	37	-11.6	-8.2
				0.59	61	-11.7	-11
				0.6	100	-11.8	-15
						-11.9	-20
						-12	-27

По измеренным данным построены графики:



Вольт амперные характеристики диода Д237А


Вольт амперные характеристики стабилитрона Д811
По начальному участку обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода определяем ток насыщения диода.

Iнас = 36.6 мкА.
По обратной ветви вольт-амперной характеристики стаби­литрона определяем напряжение пробоя (напряжение стабилизации).

Unp = 12 В.

Материал из которого изготовлен стабилитрон - это кремний, следовательно

Ед=1,12 эв. Тип p-n перехода - резкий несимметричный, поэтому применяем формулу (1):

5. Вывод

В процессе лабораторной работы были изучены закономерности протекания тока в p – n переходе. Были построены вольтамперные характеристики p-n перехода, определен ток насыщения диода и напряжение пробоя (напряжение стабилизации). Была рассчитана концентрация ос­новных носителей в базе диода. Из вольтамперной характеристики диода наблюдаем, что при малом падении на­пряжения на диоде через него протекает значительный ток, то есть сопротивление диода в прямом направлении мало, а в обратном направлении ток через диод во много раз меньше, то есть его сопротивление в обратном направлении велико, что характеризует диод как полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью.

Из вольтамперной характеристики стабилитрона видим, что при обратной проводимости стабилитрона ток через p-n переход в начале характеристики обратной проводимости возрастает мало, а затем, при достижении напряжения близком к напряжению стабилизации резко возрастает, эта особенность стабилитрона используется при стабилизации напряжения на нагрузке.

---

Факультет дистанционного обучения