Лабораторная работа - Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде - файл n1.doc

Лабораторная работа - Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде
скачать (37.3 kb.)
Доступные файлы (1):

n1.doc

76kb.

14.02.2012 14:42

скачать

Отчет по лабораторной работе №3 по дисциплине "Твердотельная электроника" (Документ)
Лабораторная работа №10 «Исследование переходных процессов при разряде конденсатора на резистор и индуктивную катушку» (Документ)
Лабораторная работа №5 (Лабораторная работа)
Лабораторная работа - Исследование модуляторов (Лабораторная работа)
Ильин В.А., Ефимов Н.С., Козлов В.Н. Теоретические основы электротехники. Теория переходных процессов. Нелинейные цепи (Документ)
Константинова Е.В., Гафиатулина Е.С. Расчет переходных процессов в линейных электрических цепях: практикум (Документ)
Лабораторная работа №11 «Исследование внешнего фотоэффекта» Лабораторная работа №12 «Исследование внутреннего фотоэффекта» (Документ)
Алексеев В.С., Грачев С.В. и др. Исследование характеристик антенных устройств (Документ)
Кривченко Г.И. Расчеты на микрокалькуляторах переходных процессов в гидроэлектростанциях (Документ)
Лабораторная работа - Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода (Лабораторная работа)
Цель: изучить прямые и косвенные показатели, применяемые для оценки качества переходных процессов в системах автоматического регулирования, и исследование влияния п (Документ)
«Переходные процессы» (Документ)

n1.doc

Факультет дистанционного обучения

Томский государственный университет

систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра (ххххххххххххх)
Отчет

Лабораторная работа №2

“Изучение переходных процессов в полупроводниковом

диоде при работе на импульсах прямого тока”

по дисциплине

“Электроника и микроэлектроника”

ИН хххххххххххх ( указать номер полученный при защите работы)

Выполнил:

студент ФДО ТУСУР

гр.: ххххххх

специальности ххххххх
Ф.И.О.

дата.

г. ххххххххххх

2011
Цель работы
Изучение переходных процессов в полупроводниковом диоде при работе на импульсах прямого тока. Определение эффективного времени жизни неосновных носителей в базе диода.
Схема экспериментальной установки

Задание на работу
1. В соответствии с последовательностью включения приборов, включите измерительные приборы.

2. Установить следующие параметры импульса: длительность импульса 10 мкс, скважность импульсов не менее 1000 мкс(чтобы следующий импульс не накладывался на переходной процесс), сдвиг 0 мкс. Переходной процесс мы будем исследовать на прямых импульсах, следовательно, установите положительную полярность импульса. Так как максимальное напряжение на диод в прямом направлении 1 В, то множитель амплитуды рекомендуется установить - х 0,1.

3. Вращением ручки регулятора – амплитуды импульса установите амплитуду импульса 0,1 В.

4. Выберите режим синхронизации осциллографа, и в соответствии с выбранным режимом добейтесь стабильности(устойчивости) осциллограммы, путем вращения соответствующих ручек.

5. Изменяя амплитуду импульса, пронаблюдать за изменением осциллограммы прямоугольного импульса.

6. Подключить исследуемый полупроводниковый прибор. Рекомендуемые масштабы: по времени 10 мкс/дел, по напряжению 0,05 или 0,1 В/дел.

7. Изменяя амплитуду импульса пронаблюдать за изменение осциллограммы переходного процесса. Определить осциллограмму переходного процесса для низкого уровня инжекции, для среднего уровня инжекции, для высокого уровня инжекции. Рекомендуемые масштабы: по времени 10 мкс/дел, по напряжению 0,05 или 0,1 В/дел.

8. Определить интервалы напряжения, при которых наблюдается низкий уровень инжекции, средний уровень инжекции, высокий уровень инжекции. Записать данные в таблицу.

9. Зарисовать полученные осциллограммы для низкого, среднего и высокого уровней инжекции, а также соответствующие им осциллограммы прямоугольных импульсов.

10. По формуле (3) рассчитать эффективное время жизни носителей в базе диода ?э, для полученных осциллограмм.

11. Оформить отчет по лабораторной работе.

Результаты работы и их анализ:
1. Интервалы напряжения для уровней инжекции приведены в таблице 1.
таб.1

U,В	Уровень инжекции
0-0,1	Низкий
0,1-0,2	Средний
0,2-1	Высокий

2. Полученные осциллограммы для низкого, среднего и высокого уровней инжекции в масштабе по вертикали ( по напряжению) 0,1В/дел., по горизонтали ( по времени ) 10мкс/дел.
Осциллограммы низкого уровня инжекции

Диод выключен. Диод включен.

Осциллограммы среднего уровня инжекции

Диод выключен. Диод включен.

Осциллограммы высокого уровня инжекции

Диод выключен. Диод включен.
3. Расчет эффективного времени жизни носителей в базе диода ?э, для полученных осциллограмм.

Где:

Вывод: При воздействии импульсных сигналов протекают переходные процессы, которые возникают из-за действия зарядной ёмкости перехода и процессов накопления или рассасывания носителей зарядов в базовой области.

Факультет дистанционного обучения