Реферат по курсу «Химия и физика полупроводников» - файл

скачать (115.3 kb.)


МИНОБРНАУКИ РОССИИ

ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ

ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ

ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ

«ВОРОНЕЖСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ»

Химический факультет

Кафедра общей и неорганической химии

MOCVD и CVD методы синтеза полупроводников

Реферат по курсу

«Химия и физика полупроводников»

Направление 04.05.01.Фундаментальная и прикладная химия

Выполнила Студентка 3 курса ФПХ Яцева Б.О.

Проверил д.х.н., доц. Косяков А.В.

Воронеж 2020



Содержание

Введение…………………………………………………………………………...3

Глава 1.Развитие CVD метода......………………………………………………..4

Глава 2.Характеристика CVD и MOCVD методов……………………………...8

Заключение……………………………………………………………………….12

Список литературы………………………………………………………………13



Введение

Одним из современных синтетических методов неорганической химии является метод химического осаждения из пара – CVD (Chemical Vapour Deposition). Процесс часто используется в индустрии полупроводников для создания тонких плёнок. В современной технике огромное значение имеют пленочные материалы и покрытия, поэтому непрерывно развиваются и совершенствуются методы получения таких материалов [1].

Сущность метода CVD заключается в том, что компоненты получаемой пленки транспортируют в виде паров их летучих соединений в реактор, где на подложке происходит разложение паров и образование пленки требуемого состава. В большинстве случаев в качестве исходных соединений (прекурсоров) используют летучие карбонилы, галогениды, гидриды или металлоорганические соединения (такая разновидность метода обозначается MOCVD). Их разложение проводят либо термическим путем, либо применяя другие методы подвода энергии (плазма, УФ -, ИК- и лазерное излучения, электронный и ионный удары) [1,2].

Метод позволяет получать все морфологические типы материалов: порошки, тонкие и толстые пленки, пленочные гетероструктуры, монокристаллы, стекла, а также все их структурные разновидности: аморфные материалы, поликристаллические материалы с различной микроструктурой, нитевидные кристаллы (вискеры) и колончатые структуры, эпитаксиальные пленки, близкие по степени кристаллического совершенства к монокристаллам, а также эпитаксиальные вариантные нанодоменные структуры [1,2].

Изучим более подробно развитие и характеристики данного метода.



Учебный материал
© nashaucheba.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации