Лабораторная работа - Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода - файл n1.doc

Лабораторная работа - Исследование вольтамперной характеристики полупроводникового диода
скачать (111.5 kb.)
Доступные файлы (1):
n1.doc112kb.01.06.2012 13:26скачать

n1.doc



Факультет дистанционного обучения

Томский государственный университет

систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра (ххххххххххххх)
Отчет

Лабораторная работа №1

Исследование вольтамперной характеристики

полупроводникового диода ”

по дисциплине

Электроника и микроэлектроника”

ИН хххххххххххх ( указать номер полученный при защите работы)


Выполнил:

студент ФДО ТУСУР

гр.: хххххххххх

специальности ххххх
Ф.И.О

дата.


г. ххххххххх

2011


  1. Цель работы

Изучить закономерности протекания тока в p – n переходе. Исследовать вольтамперную характеристику диода и стабилитрона. По экспериментальным зависимостям сделать количественную оценку параметров токовых характеристик p – n переходов.

  1. Задание на работу





  1. Исследовать вольтамперную характеристику полупроводникового диода Д237А и стабилитрона Д811 при прямом и при обратном включении. Для диода Д237 А в прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 1 В, в обратном от 0 до 80 В. Для стабилитрона Д811 прямом направлении напряжение изменять в пределах от 0 до 0,6 В, в обратном от 0 до 12 В. Запрещается превышать паспортные данные для диода и стабилитрона (см. Макет – Описание лабораторного макет – Паспортные данные приборов).

  2. По начальному участку обратной ветви ВАХ диода Д237 А определить ток насыщения.

  3. По обратной ветви ВАХ стабилитрона Д811 определить напряжение стабилизации(пробоя).

  4. Рассчитать концентрацию носителей в базе диода по формуле(1,2(см. Теория – теоретическая часть) в зависимости от типа p-n перехода), исходя из определенного напряжения пробоя(стабилизации) для стабилитрона.

  5. Оформить отчет по лабораторной работе.



  1. Схема экспериментальной установки






  1. Экспериментальные данные и их анализ



Результаты измерений приведены в таблице (4.1):

таб.4.1

Диод Д237 А

Стабилитрон Д811

Прямое направление

Обратное направление

Прямое направление

Обратное направление

U,B

I,мА

U,B

I,мkА

U,B

I, мА

U,B

I,мА

0

0

0

0

0.3

0

0

0

0.1

18

-2.95

-11

0.34

0.0002

-7.5

0

0.2

38

-5.77

-17

0.38

0.0017

-7.97

-0.0002

0.3

59

-7.81

-20

0.40

0.0046

-8.51

-0.0008

0.4

84

-16.16

-27

0.42

0.0125

-9

-0.0034

0.5

110

-23.22

-30

0.44

0.0335

-9.2

-0.0061

0.6

140

-30.79

-32

0.48

0.25

-9.42

-0.012

0.7

175

-36.14

-33

0.50

0.68

-9.8

-0.037

0.8

215

-43.2

-34

0.52

1.5

-9.96

-0.06

0.9

245

-52.95

-35

0.53

3

-10.24

-0.14

1

295

-67.3

-36

0.54

5

-10.42

-0.24







-80

-36.5

0.55

8.2

-10.8

-0.74













0.56

13.5

-11

-1.4













0.57

22.5

-11.51

-6.2













0.58

37

-11.6

-8.2













0.59

61

-11.7

-11













0.6

100

-11.8

-15



















-11.9

-20



















-12

-27


























По измеренным данным построены графики:



Вольт амперные характеристики диода Д237А


Вольт амперные характеристики стабилитрона Д811
По начальному участку обратной ветви вольт-амперной характеристики полупроводникового диода определяем ток насыщения диода.

Iнас = 36.6 мкА.
По обратной ветви вольт-амперной характеристики стаби­литрона определяем напряжение пробоя (напряжение стабилизации).

Unp = 12 В.

Материал из которого изготовлен стабилитрон - это кремний, следовательно

Ед=1,12 эв. Тип p-n перехода - резкий несимметричный, поэтому применяем формулу (1):


  1. Вывод



В процессе лабораторной работы были изучены закономерности протекания тока в p – n переходе. Были построены вольтамперные характеристики p-n перехода, определен ток насыщения диода и напряжение пробоя (напряжение стабилизации). Была рассчитана концентрация ос­новных носителей в базе диода. Из вольтамперной характеристики диода наблюдаем, что при малом падении на­пряжения на диоде через него протекает значительный ток, то есть сопротивление диода в прямом направлении мало, а в обратном направлении ток через диод во много раз меньше, то есть его сопротивление в обратном направлении велико, что характеризует диод как полупроводниковый прибор, обладающий односторонней проводимостью.

Из вольтамперной характеристики стабилитрона видим, что при обратной проводимости стабилитрона ток через p-n переход в начале характеристики обратной проводимости возрастает мало, а затем, при достижении напряжения близком к напряжению стабилизации резко возрастает, эта особенность стабилитрона используется при стабилизации напряжения на нагрузке.



Факультет дистанционного обучения
Учебный материал
© nashaucheba.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации