Лабораторная работа - Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде - файл n1.doc

Лабораторная работа - Исследование переходных процессов в полупроводниковом диоде
скачать (37.3 kb.)
Доступные файлы (1):
n1.doc76kb.14.02.2012 14:42скачать

n1.doc



Факультет дистанционного обучения

Томский государственный университет

систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)

Кафедра (ххххххххххххх)
Отчет

Лабораторная работа №2

Изучение переходных процессов в полупроводниковом

диоде при работе на импульсах прямого тока”

по дисциплине

Электроника и микроэлектроника”

ИН хххххххххххх ( указать номер полученный при защите работы)


Выполнил:

студент ФДО ТУСУР

гр.: ххххххх

специальности ххххххх
Ф.И.О.

дата.


г. ххххххххххх

2011
Цель работы
Изучение переходных процессов в полупроводниковом диоде при работе на импульсах прямого тока. Определение эффективного времени жизни неосновных носителей в базе диода.
Схема экспериментальной установки






Задание на работу
1. В соответствии с последовательностью включения приборов, включите измерительные приборы.

2. Установить следующие параметры импульса: длительность импульса 10 мкс, скважность импульсов не менее 1000 мкс(чтобы следующий импульс не накладывался на переходной процесс), сдвиг 0 мкс. Переходной процесс мы будем исследовать на прямых импульсах, следовательно, установите положительную полярность импульса. Так как максимальное напряжение на диод в прямом направлении 1 В, то множитель амплитуды рекомендуется установить - х 0,1.

3. Вращением ручки регулятора – амплитуды импульса установите амплитуду импульса 0,1 В.

4. Выберите режим синхронизации осциллографа, и в соответствии с выбранным режимом добейтесь стабильности(устойчивости) осциллограммы, путем вращения соответствующих ручек.

5. Изменяя амплитуду импульса, пронаблюдать за изменением осциллограммы прямоугольного импульса.

6. Подключить исследуемый полупроводниковый прибор. Рекомендуемые масштабы: по времени 10 мкс/дел, по напряжению 0,05 или 0,1 В/дел.

7. Изменяя амплитуду импульса пронаблюдать за изменение осциллограммы переходного процесса. Определить осциллограмму переходного процесса для низкого уровня инжекции, для среднего уровня инжекции, для высокого уровня инжекции. Рекомендуемые масштабы: по времени 10 мкс/дел, по напряжению 0,05 или 0,1 В/дел.

8. Определить интервалы напряжения, при которых наблюдается низкий уровень инжекции, средний уровень инжекции, высокий уровень инжекции. Записать данные в таблицу.

9. Зарисовать полученные осциллограммы для низкого, среднего и высокого уровней инжекции, а также соответствующие им осциллограммы прямоугольных импульсов.

10. По формуле (3) рассчитать эффективное время жизни носителей в базе диода ?э, для полученных осциллограмм.

11. Оформить отчет по лабораторной работе.


Результаты работы и их анализ:
1. Интервалы напряжения для уровней инжекции приведены в таблице 1.
таб.1

U,В

Уровень инжекции

0-0,1

Низкий

0,1-0,2

Средний

0,2-1

Высокий


2. Полученные осциллограммы для низкого, среднего и высокого уровней инжекции в масштабе по вертикали ( по напряжению) 0,1В/дел., по горизонтали ( по времени ) 10мкс/дел.
Осциллограммы низкого уровня инжекции


Диод выключен. Диод включен.


Осциллограммы среднего уровня инжекции


Диод выключен. Диод включен.

Осциллограммы высокого уровня инжекции


Диод выключен. Диод включен.
3. Расчет эффективного времени жизни носителей в базе диода ?э, для полученных осциллограмм.


Где:


Вывод: При воздействии импульсных сигналов протекают переходные процессы, которые возникают из-за действия зарядной ёмкости перехода и процессов накопления или рассасывания носителей зарядов в базовой области.




Факультет дистанционного обучения
Учебный материал
© nashaucheba.ru
При копировании укажите ссылку.
обратиться к администрации